En este artículo se investiga la capacitancia cuántica de los transistores de efecto campo de grafeno bicapa con electrolito. El grafeno bicapa ha recibido una gran atención debido al hecho de que se puede abrir una brecha energética mediante dopaje químico o aplicando un campo eléctrico perpendicular externo. Así pues, esta extraordinaria propiedad puede aprovecharse para utilizar el grafeno bicapa como canal en transistores de efecto campo activados por electrolito. Se presenta la capacitancia cuántica del grafeno bicapa con un circuito equivalente y, basándose también en el modelo analítico, se presenta una solución numérica. Comenzamos modelando la DOS, seguida de la concentración de portadores en función de V en los regímenes degenerado y no degenerado. Para confirmar aún más este punto de vista, el modelo analítico presentado se compara con datos experimentales, y se informa de un acuerdo aceptable.